★O型圈電腐蝕
描 述
密封件褪色,同時有粉末狀物質殘留在表面,與介質無接觸一側有腐蝕痕跡。
造成原因
化學反應產生電解,濺蝕(離子對結構表面沖擊引起材料損耗),灼熱,溝槽設計不合理,密封件材料與介質不相容。
解決方法
選擇與介質相適合的材料,降低暴露區(qū)域,檢查溝槽設計。
★O型圈磨損
描 述
密封件全部或部分密封區(qū)域產生磨損,可在密封表面找到材料磨損的顆粒。
造成原因
密封表面光潔度不夠,溫度過高,滲入磨損性強的污物,密封件產生相對運動,密封件表面處理不徹底。
解決方法
使用推薦的溝槽光潔度,使用可自我潤滑的材料,清除造成磨損的部件和環(huán)境。
★O型圈壓力爆破
描 述
密封件表面呈現(xiàn)氣泡,凹坑,疤痕;壓力很大時材料吸收介質內的氣體,當壓力突然減少時,材料所吸收的氣體快速逃出。造成密封表皮爆破。
造成原因
壓力變化太快,材料的硬度和彈性過低。
解決方法
選擇高硬度高彈性的材料,降低減壓的速度。
★O型圈化學腐蝕
描 述
化學腐蝕可引起密封件的各種缺陷,如發(fā)泡,破裂,小洞或褪色等,有時化學腐蝕僅可通過儀器測量。
造成原因
材料與介質不符或溫度過高。
解決方法
選擇更加耐化學介質的材料。
★O型圈氣體析出材料損失
描 述
此缺陷通常較難檢測,密封件通常表現(xiàn)為截面尺寸減少。
造成原因
材料硫化處理不當,高真空密封要求,材料硬度過低,或使用了帶有增塑劑的材料。
解決方法
避免使用帶有增塑劑的材料,確認密封件經過正確的硫化處理以減低泄露。
★O型圈污染
描 述
密封件截面有異物。
造成原因
生產過程受環(huán)境有污染,材料遭到腐蝕或產生反應,材料為非半導體行業(yè)等級的材料。
解決方法
注明生產及包裝要求的清潔度,加強密封件生產運輸使用過程的環(huán)境控制。